Prag, 20. Mäerz 2015 - Samsung Electronics Co., Ltd., e Welt Leader an der fortgeschratt Erënnerung Technologie, stellt héich-Performance 128GB 3bit NAND Stockage fir mobilen Apparater, déi baséiert op Embedded MultiMedia TechnologieCard (eMMC) 5.0. Flaggschëffer ënner Smartphones wiesselen schonn op 128GB Memory Memory baséiert op Universal Flash Storage (UFS) 2.0 oder EMMC 5.1 Standards. Och, souguer Mid-Range Smartphones kënnen elo hir Kapazitéit erhéijen 128 GB dank dem neie Repository Samsung 3bit NAND eMMC 5.0. Dëst Erënnerung Chip huet déi gréisste Kapazitéit am eMMC 5.0 Standard.
"Mat der Start vun eiser NAND-baséierter 3bit eMMC 5.0 Serie, erwaarden mir de Wee an der Expansioun vun der héijer Kapazitéit mobiler Späichere ze féieren. Mir entwéckelen weider eist mobilt Gedächtnisoffer mat verbesserte Leeschtung a méi héijer Kapazitéit fir d'wuessend Ufro vun de Clienten an der Handysindustrie z'erreechen. sot den Dr. Jung-Bae Lee, Senior Vice President vum Memory Product Planning and Application Engineering Team bei Samsung Electronics.
Sequentiell Liesung Donnéeën vun der neier 128GB eMMC 5.0 Stockage vun Samsung leeft op Vitesse 260 MB / s. Dëst ass déi selwecht Leeschtung wéi d'NAND-baséiert MLC eMMC 5.1 Erënnerung. Zoufälleg liesen a schreiwen Leeschtung je 6000 IOPS, bzw. 5000 IOPS, wat séier genuch ass fir High Definition Videoen a fortgeschratt Multitasking Funktiounen z'ënnerstëtzen. Am Verglach mat externen Erënnerungskaarten sinn dës Lies- a Schreifgeschwindegkeet ca 4 mol a 10 Mol méi héich.
Déi nei 3bit eMMC 5.0 Serie erweidert dem Samsung säi Geschäft vu SSDs fir Datenzenteren, Serveren a PCs un de ganze mobilen Späichermaart ze liwweren. Samsung wäert weiderhin 3-Bit NAND Flash Erënnerungen duerch d'Entwécklung vun High-Performance- a High-Capacitéit-Léisungen aféieren, wéi och weiderhin d'Kompetitivitéit vu sengem Gedächtnistechnologiegeschäft stäerken.
//
//
