Samsung huet seng Pläng am Semiconductorgeschäft op enger Konferenz an den USA enthüllt. Hien huet e Fahrplang gewisen, deen e graduellen Iwwergang op 7nm LPP (Low Power Plus), 5nm LPE (Low Power Early), 4nm LPE/LPP an 3nm Gate-All-Around Early/Plus Technologie weist.
De südkoreanesche Riese fänkt d'Produktioun vun der 7nm LPP Technologie un, déi EUV Lithographie benotzt, an der zweeter Halschent vum nächste Joer, wärend gläichzäiteg Konkurrent TSMC wëll d'Produktioun mat engem verbesserten 7nm+ Prozess starten a riskant Produktioun mat engem 5nm Prozess starten .
Samsung wäert ufänken Chipsets ze fabrizéieren mam 5nm LPE Prozess um Enn vum 2019 an dem 4nm LPE / LPP Prozess während 2020. Et ass d'4nm Technologie déi déi lescht Technologie gëtt déi FinFET Transistoren benotzt. Béid 5nm an 4nm Prozess ginn erwaart d'Gréisst vum Chipsatz ze reduzéieren, awer gläichzäiteg d'Performance erhéijen an de Konsum reduzéieren.
Ugefaange mat 3nm Technologie wäert d'Firma op seng eege MBCFET (Multi Bridge Channel FET) GAA (Gate All Around) Architektur wiesselen. Wann alles no Plang leeft, sollten Chipsets am Joer 3 mam 2022nm Prozess produzéiert ginn.
