Samsung huet haut d'Massproduktioun vu sengen neien DDR3 DRAM Moduler ugefaang mat engem 20-Nanometer Fabrikatiounsprozess. Dës nei Moduler hunn eng Kapazitéit vu 4Gb, also 512MB. Wéi och ëmmer, déi verfügbar Erënnerung vun eenzel Moduler ass net hir primär Feature. De Fortschrëtt läit genee am Asaz vun engem neie Produktiounsprozess, dee bis zu 25% manner Energieverbrauch am Verglach zum eelere 25-Nanometer-Prozess resultéiert.
De Beweegung op 20-nm Technologie ass och de leschte Schrëtt, deen d'Firma trennt vun der Produktioun vu Memory Module mam 10-nm Prozess ze starten. D'Technologie déi momentan an den neie Moduler benotzt gëtt ass och am meeschte fortgeschratt um Maart a kann net nëmme mat Computeren awer och mat mobilen Apparater benotzt ginn. Fir Computeren heescht dat, datt Samsung elo fäeg ass Chips mat der selwechter Gréisst ze kreéieren, awer mat engem däitlech méi grousst Betribsminne. Samsung huet och seng existent Technologie missen änneren fir d'Chips méi kleng ze maachen wärend déi aktuell Fabrikatiounsmethod behalen.
- Dir kéint interesséiert sinn an: Samsung huet déi éischt 8Gb LPDDR4 mobil DRAM Erënnerung entwéckelt
