Wéi bekannt ass, wäert Qualcomm säin neie Flaggschëff Chipsatz am Dezember un de Public enthüllen Snapdragon 875. Zousätzlech zu méi héijer Leeschtung wéi säi Virgänger, bréngt de Snapdragon 865 och - dank der Quick Charge 5 Technologie - Ënnerstëtzung fir séier Laden mat enger Kraaft vun 100 W. Viru kuerzem ass den ëmmer méi bekannte chinesesche Leaker Digital Chat Station mat Informatioun komm. datt et op der Zeen an den éischten dräi Méint vum nächste Joer fënnef nei High-End Smartphones agefouert ginn, déi eng mächteg Kombinatioun vu Snapdragon 875 an 100W Laden ubidden.
Dës Telefone kéinte Modeller vun der kommender Flaggschëff Serie vu Samsung enthalen Galaxy S21 (S30) an déi kommend Flaggschëff Smartphones OnePlus 9 Pro an Xiaomi Mi 11 Pro. Et gëtt och iwwer dem Meizu sengem neie "Flaggschëff" geschwat - de Meizu 18 Max 5G.
Dir kéint interesséiert sinn an
Am Moment ass et awer net kloer wéi eng vun den opgelëschten Telefonen - wann iwwerhaapt - déi 100W Ladeunterstëtzung voll notzen. Déi lescht Lecke suggeréieren datt Samsung mat 21W fir de S45 Ultra bleift, an OnePlus an Xiaomi wäerte méiglecherweis hir Léisungen an dësem Beräich promoten.
Natierlech geet et am Moment alles ëm Marketing a Markepromotioun - all déi genannten Telefone ënnerstëtzen den USB Power Delivery Schnellladungsstandard an enger oder anerer Form (schliisslech ass déi genannte Quick Charge 5 Technologie och op dësem Standard gebaut).
Wat den Chip selwer ugeet, laut den éischte Benchmarks, kéint et méi wéi 25% méi séier sinn wéi de Snapdragon 865+ Chip, haaptsächlech dank dem mächtegen neie Cortex-X1 Kär (Samsung säin neien Exynos 2100 Flaggschëff Chip soll och dëse Kär benotzen) . Et soll den 1. Dezember agefouert ginn.
